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      1. 空心陰極離子鍍膜的工藝過程

        文章作者:廣東振華科技
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        發布時間:2023-07-07
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        空心陰極離子鍍膜的工藝過程如下:

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        1)在塌內放入欽錠。

        2)安裝工件。

        3)抽真空到 5x10-3Pa后,由銀管向鍍膜室通人氬氣,真空度在 100Pa 左右。

        4)開啟偏壓電源。

        5)開啟弧電源以后引燃空心陰極放電。鈕管內產生輝光放電,放電電壓為 800~1000V,引弧電流為30~50A。由于輝光放電的空心陰極效應,輝光放電電流密度很大,銀管內高密度的鼠離子轟擊鉅管壁,使管壁迅速升溫到發射電子流,放電方式由輝光放電突變為弧光放電,電壓為40~70V,電流為 80~300A。銀管溫度達到2300K 以上,呈白熾狀態,從管發射出高密度弧光電子流,并射向陽極。

        6) 調整真空度??招年帢O槍產生輝光放電的真空度為 100Pa 左右,而鍍膜真空度為8x10-1~2Pa。因此,引燃弧光放電后,盡快減少通入的氬氣,將真空度調到適合鍍膜的范圍。

        7)鍍鈦底層。電子流射到陽極塌的欽金屬錠上,動能轉換為熱能,將欽金屬加熱蒸發出來,蒸氣原子到達工件形成鈦薄膜。

        8)沉積 TiN。向鍍膜室通人氮氣,氮氣和蒸發出的原子被電離為氮離子和鈦離子。在坩堝上方,鈦蒸氣原子與高密度的低能電子流發生非彈性碰撞的概率較大,使得金屬離化率高達 20%~40%,鈦離子比較容易與反應氣體氮氣進行化合反應,沉積獲得氮化缽膜層??招年帢O槍既是蒸發源,又是離化源。鍍膜時,還應調整坩堝周圍電磁線圈的電流,使電子束聚焦到堆塌中心,從而增大電子流的功率密度。

        9)關機。膜層厚度達到預定膜層厚度以后,關閉弧電源、偏壓電源和氣源。

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