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      1. 晶硅太陽能電池鍍膜技術的發展

        文章作者:廣東振華科技
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        發布時間:2023-07-07
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            晶硅電池技術發展的方向包括 PERT技術與 Topcon 技術,這兩種技術被視為傳統擴散法電池技術的延伸,它們共同特點是電池背面都有鈍化層,而且都采用一層摻雜多晶硅作為背場。鈍化層較多采用高溫氧化層,摻雜多晶硅層則采用LPCVD和PECVD等方式。管式PECVD和平板式PECVD已在PERC電池的大規模量產中使用。

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            管式PECVD產能大,一般采用幾十千赫的低頻電源,離子轟擊和繞鍍問題可能影響鈍化層的質量。平板式 PECVD沒有繞鍍問題,在鍍膜性能上有較大優勢,可用于摻雜 Si、SiO.、SiC薄膜的沉積。缺點在于所鍍薄膜中含有大量氫,易造成膜層起泡,在鍍膜厚度上受限。LPCVD鍍膜技術采用管式爐鍍膜時,具有較大產能,可以沉積較厚的多晶硅薄膜,但也會有繞鍍發生,在 LPCVD 工藝后還須將繞鍍的膜層去除且不傷及底層。量產的 Topcon 電池已達到23%的平均轉換效率。

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